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尔必达完成最先进25nm DDR3内存制造技术

编辑:深圳爱华科技有限公司   字号:
摘要:尔必达完成最先进25nm DDR3内存制造技术
日本尔必达今天宣布,已经采用业界最先进的25nm CMOS工艺制造出了2Gb(也就是128MB)容量的DDR3 SDRAM内存颗粒。

尔必达宣称这种2Gb DDR3内存颗粒的芯片面积是全球最小的,但没有公布具体数字。该芯片数据带宽x4-bit/x8-bit,数据传输率可达18666Mbps或更高(也就是工作频率1866+MHz),工作温度范围0-95℃,供电电压1.5V或者1.35V,可以做成高性能DDR3-1866或者低电压DDR3L-1600内存条。

相比于之前的30nm工艺,尔必达新开发的25nm工艺每个比特所需要的存储单元空间减少了30%,整个晶圆的芯片切割数量也因此增加了30%。

此外通过15%的操作电流节省、20%的待机电流节省,尔必达的25nm工艺还能有效降低内存功耗,为节能环保做出贡献。

尔必达将于今年七月份开始批量投产这种25nm 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒,并计划在今年年底量产4Gb大容量型号,晶圆产能可大幅增加44%,此外新工艺还会用于移动型的Mobile RAM。
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